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据发表在《科学》杂志上的一项最新研究，美国斯坦福大学研究人员首次发现一种非晶体材料磷化铌，在制造芯片上的超薄线路时，只有几个原子厚的磷化铌薄膜导电能力比铜更好。此外，这种薄膜可在较低温度下沉积生产，与现代计算机芯片相兼容。这种新材料在未来的纳米电子学领域极具潜力，有望带来功能更强、更节能的电子产品，帮助解决当前电子产品中的电力和能耗问题。
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“第一次到海上平台进行测试，看着火箭在晃动的平台上缓慢起竖，起竖越高，火箭的晃动幅度越大，而晃动的幅值必须在合适阙值内，才能保障火箭不受损坏。浪在几级时它的晃动幅值是多少，我们必须给出一个定量的判断。”滕瑶回忆。
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