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记者在实验室见到了清华大学博士生张震宇，他正和两名同学一起，戴着厚厚的防冻手套，测试下一代高纯锗探测器。“锦屏地下实验室扩建后，可以容纳更多实验设备，我们的研究也得以更深入。”张震宇兴奋地说，“下一代实验探测器，有望让暗物质探测灵敏度提高2个数量级。”
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团队利用二维材料二硒化铪设计并制造了金属氧化物半导体电容器（MOSCap）。这种器件采用了垂直堆叠结构，其中二硒化铪夹在两层氧化铝之间，并放置在p型硅衬底上。顶部覆盖有一层透明的氧化铟锡，允许光线从上方进入。当二硒化铪纳米片被集成到电荷捕获存储器件中时，能实现光学数据传感和保留功能，使其在光源移除后仍能重新配置以感应光或存储光学数据。
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