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团队利用二维材料二硒化铪设计并制造了金属氧化物半导体电容器(MOSCap)。这种器件采用了垂直堆叠结构,其中二硒化铪夹在两层氧化铝之间,并放置在p型硅衬底上。顶部覆盖有一层透明的氧化铟锡,允许光线从上方进入。当二硒化铪纳米片被集成到电荷捕获存储器件中时,能实现光学数据传感和保留功能,使其在光源移除后仍能重新配置以感应光或存储光学数据。
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近一年来,北京核心商圈的焕新在加速。王府井大街迎来了改造项目王府井喜悦购物中心快速发展;王府中環也进行了大规模调改;东方新天地迎来了一波新品牌,MaxMara、之禾等部分主力品牌已经撤店,新的改变着重于品牌形象展示,以寻求项目差异化竞争优势。这让王府井大街再度焕发活力。
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