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此前,研究人员一直在寻找可用于纳米电子领域的导电材料,但到目前为止,最好的候选材料都有极其精确的晶体结构,要在非常高温度下才能形成。此次研究制造的磷化铌薄膜,有望成为更理想的导体,也为探索利用其他拓扑半金属制造超薄电路铺平了道路。
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