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深地塔科1井的钻探过程，不仅要面对复杂多变的地质构造，还要跨越地下“万重山”，穿越多套不同岩性、不同压力系统的岩层。深地塔科1井自上而下要钻穿塔里木盆地13个地层。进入8000米深度后，地层异常坚硬，先后更换了15只钻头才艰难钻进到万米。最极端时，井下的钻工具要面对170多兆帕压力的冲击，同时经受近220摄氏度的超高温考验。在这样恶劣的井下环境中，一般钻井设备仪器的电子元器件、橡胶件等，均会损坏或失效。
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铟硒半导体，可以弯曲、扭转、压缩而不易破碎，不仅具有传统半导体材料优异物理性能，还可像金属一样塑性变形和机械加工。但铟硒晶体缺陷密度极高，严重影响半导体器件性能和材料应用。空间微重力环境下产生的“非接触效应”和稳定的固液界面可解决这一难题。
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