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　　　　在理论上，脑机接口技术可根据其使用的方式和目的分为不同类型。例如，根据是否植入人的大脑内部，脑机接口技术可具体分为非侵入式脑机接口技术和侵入式脑机接口技术两类。对于非侵入式脑机接口技术，由于其不会植入人的大脑内部，只是作为身体的辅助工具使用，对身体产生的影响相对较小，所以一般可采取较为宽松的伦理审查措施。不过，考虑到脑机接口技术是对大脑神经活动的干预和指导，其最终会作用于人的认知和实践活动，自然应遵循自主、不伤害、有利、公正等国际公认的基本伦理准则，不得违反国家相关法律、伦理规范，不得损害公共利益，并接受所在单位伦理委员会的审查。侵入式脑机接口技术具有更大的伦理风险，其使用除了应遵循非侵入式脑机接口技术的上述要求以外，还需进行更严格的伦理审查。

研究团队发现，在微重力条件下，空间晶体的位错密度比地面下降了几十倍，甚至在生长初期存在近零位错区域。刘学超分析道：“如果可以攻克铟硒半导体缺陷密度极高的瓶颈，它将有望制成世界上速度最快、能耗最低的晶体管。”

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