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　　　　团队利用二维材料二硒化铪设计并制造了金属氧化物半导体电容器（MOSCap）。这种器件采用了垂直堆叠结构，其中二硒化铪夹在两层氧化铝之间，并放置在p型硅衬底上。顶部覆盖有一层透明的氧化铟锡，允许光线从上方进入。当二硒化铪纳米片被集成到电荷捕获存储器件中时，能实现光学数据传感和保留功能，使其在光源移除后仍能重新配置以感应光或存储光学数据。

平时，大家一起选品，一起扩展货源，一起在网上拍短视频扩大销路。销量好的时候，大家一起加餐。“腾云会拉手风琴，吃好了、喝好了，随时高歌一曲。”“刘洋年龄最小，学习能力很强。”“武铁龙肯吃苦，很勤奋……”合作伙伴们相互点赞。

　　　　科技创新是推动社会进步和经济发展的关键动力，具有创造性、先进性、实用性等特点，同时也是投入大、风险高、不确定性强的探索活动。不少创新思路因为科技创新主体担心出错、害怕失败等原因而停留在萌芽状态，无法转化成生产力。近年来，湖北、黑龙江等省份推出类似举措，构建科技创新工作容错免责机制，旨在解放和激发科技创新的巨大潜能，营造勇于创新、宽容失败的创新氛围，最大限度地支持和保护科技创新主体的积极性和合法权益。