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纳米是指半导体电路线宽的单位，线宽越窄，功耗越低，处理速度越快。目前，全球最先进的量产技术是3纳米。三星电子于2022年6月在业界首次开始了3纳米工艺芯片的生产，展示了芯片代工工艺的技术能力，但目前为止还没有找到像样的客户公司。业内人员解释说：“三星电子芯片代工厂的10 纳米以下产品上市时间出现延迟，良品率改善进展也缓慢。”

　　　　研究团队克服以往实验中光晶格强度的非均匀性和费米原子制冷存在的困难，通过精确调控相互作用强度、温度和掺杂浓度，直接观察到了反铁磁相变的确凿证据——自旋结构因子在相变点附近呈现幂律的临界发散现象，从而首次验证了费米子哈伯德模型包括掺杂条件下的反铁磁相变。