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　　　　2019年，哈佛大学与普林斯顿等离子体物理实验室的研究团队，使用在美国运行的DIII—D托卡马克装置上训练出的深度神经网络模型，以超过90%的正确率预警了JET装置的破裂事件。2022年，谷歌旗下DeepMind团队与瑞士联邦理工学院合作使用强化学习智能体在TCV托卡马克上实现了限制器、常规偏滤器、先进偏滤器甚至双环等离子体位形的控制。2024年，韩国中央大学与普林斯顿等离子体物理实验室的研究团队使用深度学习方法，在KSTAR与DIII—D托卡马克上成功预测了撕裂模不稳定性的增长概率，并结合强化学习算法，在提升等离子体比压的同时对撕裂模增长概率进行控制。

与会中外青年代表表示，通过这次活动，自己对以陶瓷文化为代表的中华传统文化和不同文化背景下的青年潮流文化有了更加深刻的理解和认识，希望以此次活动为契机，进一步加深中外青年间的沟通了解，以瓷为媒、以瓷交友，在对话中碰撞思想火花，在交流中增进共鸣，当好中外文明交流互鉴的使者。（记者李婧怡）

　　　　根据采集信号的电极摆放位置，脑机接口可分为侵入式、非侵入式和半侵入式3种。侵入式脑机接口需要神经外科医师通过微创开颅手术将电极直接植入患者大脑。这些植入脑内的电极记录大脑电波信号，经过处理、分析和编码后，将其转换为计算机或其他电子设备可识别的指令，实现对外部设备的控制。侵入式脑机接口的优势在于可以直接获取高质量、高时空分辨率的神经信号，但其技术难度大，存在较高的安全风险，如植入物可能引发大脑排异反应或因移动造成脑损伤等。非侵入式脑机接口用穿戴在患者头部的设备来记录和解读大脑信息，操作简单、成本低、安全性高。由于该技术需要通过头皮和颅骨来采集信号，因此只能获取到大范围脑区的宏观活动信号，获取范围有限，信号空间分辨率较低，同时容易受到外界干扰。半侵入式脑机接口通常将电极植入头皮下或硬脑膜外，无需穿透大脑皮层采集信号，具有较高的信号质量和分辨率，同时降低了直接植入脑内带来的安全风险。