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团队利用二维材料二硒化铪设计并制造了金属氧化物半导体电容器(MOSCap)。这种器件采用了垂直堆叠结构,其中二硒化铪夹在两层氧化铝之间,并放置在p型硅衬底上。顶部覆盖有一层透明的氧化铟锡,允许光线从上方进入。当二硒化铪纳米片被集成到电荷捕获存储器件中时,能实现光学数据传感和保留功能,使其在光源移除后仍能重新配置以感应光或存储光学数据。
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采访中,孙东明告诉记者,做研究员,把自己的科研做好就行;当全国人大代表,就要全面了解科技界、科技工作者的现状和期盼,为科技创新引领高质量发展建言献策。在跟随他调研走访的过程中,记者也感受到他的专业视角,和“要不断地找到问题、解决问题”的执着。
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