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团队利用二维材料二硒化铪设计并制造了金属氧化物半导体电容器（MOSCap）。这种器件采用了垂直堆叠结构，其中二硒化铪夹在两层氧化铝之间，并放置在p型硅衬底上。顶部覆盖有一层透明的氧化铟锡，允许光线从上方进入。当二硒化铪纳米片被集成到电荷捕获存储器件中时，能实现光学数据传感和保留功能，使其在光源移除后仍能重新配置以感应光或存储光学数据。
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我国综合极端条件实验装置于2017年9月底开工建设。装置的主要建设单位是中国科学院物理研究所，吉林大学参与共建。该装置能够模拟极端温度、压力、磁场等条件并综合使用，可以提供多种在综合极端条件下，开展材料制备、物性表征、量子调控和超快动力学过程的研究手段，为材料科学、物理学、化学等领域的研究提供前所未有的实验平台。
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