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团队利用二维材料二硒化铪设计并制造了金属氧化物半导体电容器（MOSCap）。这种器件采用了垂直堆叠结构，其中二硒化铪夹在两层氧化铝之间，并放置在p型硅衬底上。顶部覆盖有一层透明的氧化铟锡，允许光线从上方进入。当二硒化铪纳米片被集成到电荷捕获存储器件中时，能实现光学数据传感和保留功能，使其在光源移除后仍能重新配置以感应光或存储光学数据。
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2月21日，中央网信办发布2025年“清朗”系列专项行动整治重点，特别提到整治AI技术滥用乱象，突出AI技术管理和信息内容管理，强化生成合成内容标识，打击借AI技术生成发布虚假信息、实施网络水军行为等问题，规范AI类应用网络生态。
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