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根据采集信号的电极摆放位置，脑机接口可分为侵入式、非侵入式和半侵入式3种。侵入式脑机接口需要神经外科医师通过微创开颅手术将电极直接植入患者大脑。这些植入脑内的电极记录大脑电波信号，经过处理、分析和编码后，将其转换为计算机或其他电子设备可识别的指令，实现对外部设备的控制。侵入式脑机接口的优势在于可以直接获取高质量、高时空分辨率的神经信号，但其技术难度大，存在较高的安全风险，如植入物可能引发大脑排异反应或因移动造成脑损伤等。非侵入式脑机接口用穿戴在患者头部的设备来记录和解读大脑信息，操作简单、成本低、安全性高。由于该技术需要通过头皮和颅骨来采集信号，因此只能获取到大范围脑区的宏观活动信号，获取范围有限，信号空间分辨率较低，同时容易受到外界干扰。半侵入式脑机接口通常将电极植入头皮下或硬脑膜外，无需穿透大脑皮层采集信号，具有较高的信号质量和分辨率，同时降低了直接植入脑内带来的安全风险。
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到了这里，合成新核素又进入了瓶颈——氦喷嘴、化学分离等方法限制了研究核素半衰期的下限。近代物理所开始发展新“武器”，研究人员研制了充气反冲核谱仪，并于2015年成功观测到新核素205Ac。截至目前，利用这个仪器，共观测到14种新核素，其中合成的新核素222Np其半衰期达到了300多纳秒，几乎达到该装置研究的极限；通过测量合成的214U、216U新核素性质，结合铀缺中子核素的已知数据发现了α粒子结团效应反常增强现象；通过系统研究合成的219Np和220Np等新核素的性质发现中子数为126中子壳效应对极端缺中子镎同位素的影响依然存在，同时确定了镎元素的质子滴线位置，这是目前已知质子滴线的最重元素；合成的新核素160Os及156W的衰变性质表明，该区域阿尔法衰变概率存在减小的现象，说明质子数为82、中子数也为82的双幻核164Pb可能存在一定的稳定性。这些研究都得到了国际学术界的高度关注。
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