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团队利用二维材料二硒化铪设计并制造了金属氧化物半导体电容器（MOSCap）。这种器件采用了垂直堆叠结构，其中二硒化铪夹在两层氧化铝之间，并放置在p型硅衬底上。顶部覆盖有一层透明的氧化铟锡，允许光线从上方进入。当二硒化铪纳米片被集成到电荷捕获存储器件中时，能实现光学数据传感和保留功能，使其在光源移除后仍能重新配置以感应光或存储光学数据。
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地下盐矿位于地下几百米甚至上千米，没有人知道它真正的样子。关于地下盐矿沉渣的状态，学术界众说纷纭，有的专家认为地下盐矿中充满淤泥，有的专家认为沉渣是沙子，而武汉岩土所团队更倾向于主要是大尺寸的石块。想把泥状物中的卤水排出非常困难，如果不可以，盐穴中可利用空间就会很少，储能便无从谈起。
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