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团队利用二维材料二硒化铪设计并制造了金属氧化物半导体电容器(MOSCap)。这种器件采用了垂直堆叠结构,其中二硒化铪夹在两层氧化铝之间,并放置在p型硅衬底上。顶部覆盖有一层透明的氧化铟锡,允许光线从上方进入。当二硒化铪纳米片被集成到电荷捕获存储器件中时,能实现光学数据传感和保留功能,使其在光源移除后仍能重新配置以感应光或存储光学数据。
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2021年7月,在贵州民族大学的支持下,秀地村建立起了艺术实践基地。30多名大学生来到这里创作采风。一个多月的社会实践让学生们开阔了眼界,更体会到现实生活才是艺术取之不尽、用之不竭的创作源泉。学生夏宇说:“这样的活动让我触摸到了乡村的灵魂。”两年来,共有300余艺术生到秀地村,通过画笔描绘出生态美景、民族风情和乡村振兴的时代脉动。
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