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由于磁畴的稳定性,反铁磁体可整合到未来的内存芯片中,使这些芯片能耗更少、占用空间更小,同时存储和处理的数据更多。然而,将反铁磁材料应用于存储技术的一个主要障碍在于,如何以可靠方式控制反铁磁体,使其从一种磁态转换到另一种磁态。
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