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团队利用二维材料二硒化铪设计并制造了金属氧化物半导体电容器（MOSCap）。这种器件采用了垂直堆叠结构，其中二硒化铪夹在两层氧化铝之间，并放置在p型硅衬底上。顶部覆盖有一层透明的氧化铟锡，允许光线从上方进入。当二硒化铪纳米片被集成到电荷捕获存储器件中时，能实现光学数据传感和保留功能，使其在光源移除后仍能重新配置以感应光或存储光学数据。
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这项技术有望用于制造笔记本电脑、可穿戴设备中的AI硬件，其速度和功能性将媲美当前的超级计算机，并具备与实体数据中心相匹配的数据存储能力。这项突破为半导体行业带来了巨大潜力，使芯片能够超越传统限制进行堆叠，极大提升了人工智能、逻辑运算及内存应用的计算能力。
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