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团队利用二维材料二硒化铪设计并制造了金属氧化物半导体电容器（MOSCap）。这种器件采用了垂直堆叠结构，其中二硒化铪夹在两层氧化铝之间，并放置在p型硅衬底上。顶部覆盖有一层透明的氧化铟锡，允许光线从上方进入。当二硒化铪纳米片被集成到电荷捕获存储器件中时，能实现光学数据传感和保留功能，使其在光源移除后仍能重新配置以感应光或存储光学数据。

　　　　铟，也被中国、欧盟、美国和日本等先后列为关键矿产。当前，铟的终端产品主要包括铟锡氧化物（ITO）靶材、光伏薄膜、电脑芯片、半导体材料、焊料及合金等，其中ITO靶材的市场占比最大，可占全球铟消费量的70%。此外，目前尚不存在能够在上述领域替代铟的其他金属。因此，铟是当今世界第四次科技革命不可替代的原材料之一，具有极其重要的战略价值。