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团队利用二维材料二硒化铪设计并制造了金属氧化物半导体电容器（MOSCap）。这种器件采用了垂直堆叠结构，其中二硒化铪夹在两层氧化铝之间，并放置在p型硅衬底上。顶部覆盖有一层透明的氧化铟锡，允许光线从上方进入。当二硒化铪纳米片被集成到电荷捕获存储器件中时，能实现光学数据传感和保留功能，使其在光源移除后仍能重新配置以感应光或存储光学数据。
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他告诉我，我是堂堂的国家级非物质文化遗产，更是杨柳青古镇独一无二的文化IP，这次焕新的大旗应该也必须由我来扛！更重要的是，我不是那种只能“镶嵌在画框里的静物”，随着时代的发展和进步，我早已经从墙上走下，从纸面上走出，在生活的各个领域焕发出强大的生命力。
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