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二是加料与排灰问题。聚变等离子体被约束在真空室内，形成一种类似“甜甜圈”的形状。在“甜甜圈”环向轴中心位置附近的等离子体密度和温度最高，越往边界参数越低。传统加料方式注入的中性气体氘和氚，难以深入等离子体芯部，其燃烧效率难以提高。同时堆芯等离子体聚变反应，会产生大量的氦，也被称为氦灰。氦灰容易堆积在芯部，导致等离子体性能退化，甚至引发等离子体熄灭。
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如果能用反铁磁材料制成内存芯片，就可将数据“写入”材料的微观区域，即磁畴。在给定磁畴中，自旋方向的某种配置（例如，上—下）代表经典的比特“0”，而另一种配置（下—上）则代表“1”。在这样的芯片上写入数据，能抵御外部磁场的干扰。
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