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　　　　据发表在《科学》杂志上的一项最新研究，美国斯坦福大学研究人员首次发现一种非晶体材料磷化铌，在制造芯片上的超薄线路时，只有几个原子厚的磷化铌薄膜导电能力比铜更好。此外，这种薄膜可在较低温度下沉积生产，与现代计算机芯片相兼容。这种新材料在未来的纳米电子学领域极具潜力，有望带来功能更强、更节能的电子产品，帮助解决当前电子产品中的电力和能耗问题。

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　　　　研究团队指出，陈绝缘体内的电子绕材料边缘运行但内部不导电。不过，这些电子会自发形成沿二维材料边缘顺时针或逆时针流动的单向电流。他们认为，在某些条件下，光线照射陈绝缘体产生的激子会继承主材料内电子和空穴的拓扑性质，变身为拓扑激子。当这些激子通过释放能量而衰变时，会自发地发出圆偏振光。