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专家学者三毛布衣图库大全在北京共商低空经济“飞”得更远更稳

来源:说IT资讯网 作者:admin 日期:2025-06-11 12:55:19 点击:26624次

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    团队利用二维材料二硒化铪设计并制造了金属氧化物半导体电容器(MOSCap)。这种器件采用了垂直堆叠结构,其中二硒化铪夹在两层氧化铝之间,并放置在p型硅衬底上。顶部覆盖有一层透明的氧化铟锡,允许光线从上方进入。当二硒化铪纳米片被集成到电荷捕获存储器件中时,能实现光学数据传感和保留功能,使其在光源移除后仍能重新配置以感应光或存储光学数据。

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