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来源:说IT资讯网 作者:admin 日期:2025-05-24 14:29:39 点击:28984次

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在激光发明30余年后,随着微加工技术的进步,以及对激光物理研究与激光器件的深入了解,各类微型半导体激光器相继被开发出来,包括微盘激光器、光子晶体缺陷态激光器和纳米线激光器。1992年,美国贝尔实验室成功实现了首个微盘激光器,利用微盘中的回音壁模式,让光在微盘内反复反射,产生共振反馈并实现激射。1999年,美国加州理工大学通过在二维光子晶体中引入点缺陷来约束光,实现了首个光子晶体缺陷态激光器。2001年,美国加州大学伯克利分校首次利用纳米线的端面作为反射镜,成功实现了半导体纳米线激光器。这些激光器将特征尺寸降低至单个真空波长的量级,然而由于光学衍射极限的限制,这些基于介电谐振腔的激光器难以进一步缩小。

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    到了这里,合成新核素又进入了瓶颈——氦喷嘴、化学分离等方法限制了研究核素半衰期的下限。近代物理所开始发展新“武器”,研究人员研制了充气反冲核谱仪,并于2015年成功观测到新核素205Ac。截至目前,利用这个仪器,共观测到14种新核素,其中合成的新核素222Np其半衰期达到了300多纳秒,几乎达到该装置研究的极限;通过测量合成的214U、216U新核素性质,结合铀缺中子核素的已知数据发现了α粒子结团效应反常增强现象;通过系统研究合成的219Np和220Np等新核素的性质发现中子数为126中子壳效应对极端缺中子镎同位素的影响依然存在,同时确定了镎元素的质子滴线位置,这是目前已知质子滴线的最重元素;合成的新核素160Os及156W的衰变性质表明,该区域阿尔法衰变概率存在减小的现象,说明质子数为82、中子数也为82的双幻核164Pb可能存在一定的稳定性。这些研究都得到了国际学术界的高度关注。

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