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此次试验的成功，不但验证了无线传输设备与介入式脑机接口系统的安全性和生物兼容性，而且验证了介入式脑机接口传感器可以在不损伤脑组织和血管的情况下被安全取出，为未来介入式脑机接口技术的临床应用提供了坚实基础。
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铟硒半导体，可以弯曲、扭转、压缩而不易破碎，不仅具有传统半导体材料优异物理性能，还可像金属一样塑性变形和机械加工。但铟硒晶体缺陷密度极高，严重影响半导体器件性能和材料应用。空间微重力环境下产生的“非接触效应”和稳定的固液界面可解决这一难题。
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