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铟硒半导体，可以弯曲、扭转、压缩而不易破碎，不仅具有传统半导体材料优异物理性能，还可像金属一样塑性变形和机械加工。但铟硒晶体缺陷密度极高，严重影响半导体器件性能和材料应用。空间微重力环境下产生的“非接触效应”和稳定的固液界面可解决这一难题。
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金龙资料版2025最新款科技日报讯 （记者张梦然）美国马克斯·普朗克佛罗里达神经科学研究所团队发现了大脑形成长期记忆的新途径。研究表明，长期记忆可以独立于短期记忆形成，这一发现为理解与记忆相关的现象提供了新视角。相关论文发表在新一期《自然·神经科学》上。
