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团队利用二维材料二硒化铪设计并制造了金属氧化物半导体电容器（MOSCap）。这种器件采用了垂直堆叠结构，其中二硒化铪夹在两层氧化铝之间，并放置在p型硅衬底上。顶部覆盖有一层透明的氧化铟锡，允许光线从上方进入。当二硒化铪纳米片被集成到电荷捕获存储器件中时，能实现光学数据传感和保留功能，使其在光源移除后仍能重新配置以感应光或存储光学数据。
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今晚新澳门开奖结果团队领队杨建军教授介绍，金属表面超疏水性能的实现大都依赖于传统的二元协同设计思想，即首先在材料表面制作微/纳米结构，然后再采用低表面能有机物进行修饰。这种依靠粘附涂层的设计在实际腐蚀性环境中很容易遭受侵蚀性离子的渗透，造成涂层分解、疏松和剥落等风险。
