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团队利用二维材料二硒化铪设计并制造了金属氧化物半导体电容器（MOSCap）。这种器件采用了垂直堆叠结构，其中二硒化铪夹在两层氧化铝之间，并放置在p型硅衬底上。顶部覆盖有一层透明的氧化铟锡，允许光线从上方进入。当二硒化铪纳米片被集成到电荷捕获存储器件中时，能实现光学数据传感和保留功能，使其在光源移除后仍能重新配置以感应光或存储光学数据。
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2月8日，孙亮一早就进入秦岭山脉；2月10日，由于电子设备没电，孙亮在森林中迷了路。随后，他一直沿河水往下游走，中途还滑坠了几次，导致右手骨折，装备也因此丢失了一部分。到了晚上，他就在巨石后避风的地方铺干草休息。
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