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团队利用二维材料二硒化铪设计并制造了金属氧化物半导体电容器(MOSCap)。这种器件采用了垂直堆叠结构,其中二硒化铪夹在两层氧化铝之间,并放置在p型硅衬底上。顶部覆盖有一层透明的氧化铟锡,允许光线从上方进入。当二硒化铪纳米片被集成到电荷捕获存储器件中时,能实现光学数据传感和保留功能,使其在光源移除后仍能重新配置以感应光或存储光学数据。
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科威特代表团副团长 阿拉杰米:确实我有很多想说的,首先我想感谢中国举办这届运动会,我们所有人都非常感谢东道主的工作人员,我知道有很多人在幕后努力地工作,包括志愿者等所有人在这届运动会当中。我要感谢哈尔滨主办这次的运动会,我知道一切都能非常顺利,因为我相信中国人民。
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