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　　　　团队利用二维材料二硒化铪设计并制造了金属氧化物半导体电容器（MOSCap）。这种器件采用了垂直堆叠结构，其中二硒化铪夹在两层氧化铝之间，并放置在p型硅衬底上。顶部覆盖有一层透明的氧化铟锡，允许光线从上方进入。当二硒化铪纳米片被集成到电荷捕获存储器件中时，能实现光学数据传感和保留功能，使其在光源移除后仍能重新配置以感应光或存储光学数据。

他们来到了祖辈无法想象的大世界，却说不清空间是变得广阔还是狭窄。一个1999年出生的孩子面对档案纸，“很想写点什么”，“但是我没有童年”。“从8岁开始学奥数，举一反三、望子成龙、牛吃草问题陪伴我到12岁。然后是小升初，奥数比赛，放假是钢琴考级的时间，我坚持考到了9级。永远没有看完过1集《动画梦工场》。”

　　　　脑机接口技术有望应用于脑神经疾病治疗，为未来的医疗和康复设备提供更加智能化和个性化的解决方案，推动医疗领域向更加人性和高效的方向发展。另外，脑机接口也促进了神经科学和脑机交互领域的研究，深化对人类大脑功能的理解。