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研究团队发现，在微重力条件下，空间晶体的位错密度比地面下降了几十倍，甚至在生长初期存在近零位错区域。刘学超分析道：“如果可以攻克铟硒半导体缺陷密度极高的瓶颈，它将有望制成世界上速度最快、能耗最低的晶体管。”
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美国麻省理工学院团队利用超薄半导体材料，成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。这是迄今已知最小的3D晶体管，其性能和功能可比肩甚至超越现有硅基晶体管，将为高性能节能电子产品的研制开辟新途径。相关论文发表于5日出版的《自然·电子学》杂志。
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