logo

　　今晚必开什么属相经典版V15.12.9（2025已更新）—湖北之窗

　　　　随着集成电路产业发展进入“后摩尔时代”，集成电路芯片性能提升的难度和成本越来越高，人们迫切需要寻找新的技术方案。近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所科研团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片领域取得突破性进展，成功开发出可批量制造的新型“光学硅”芯片。相关研究成果8日在线发表于《自然》杂志。

针对这一挑战，3年来，由薛其坤院士与陈卓昱率领的研究团队持续攻关，自主研发了“强氧化原子逐层外延”技术。“我们将这项技术应用于镍基超导材料的开发之中：在原子级平滑的基片之上，精确排列镍、氧等原子，构建出厚度仅几纳米的超薄膜。在极强的氧化环境下，通过界面工程，实现了‘原子铆钉术’，固定住了原本需要极高压环境下才能稳定存在的原子结构。”陈卓昱说，我们试验了1000多片样品，最后成功地获得了常压下的超导电性。通过精密的电磁输运测量，观测到了零电阻与抗磁性，确认了高温超导电性的存在。此次突破也表明，通过界面工程优化材料设计，有望在更高的温度，例如液氮温区实现镍基超导。

　　　　在语义信息论指导下，张平团队提出了语义基物理模型、智简编码传输、模分多址等多项代表性的语义通信关键技术，进而成功搭建6G外场试验网。此外，通过6G外场试验网，团队验证了语义通信在4G/5G链路上可以达到6G传输能力，语义信道容量突破了香农极限对通信系统的禁锢，3项通信核心基础指标（容量、覆盖、效率）均获得10倍的性能提升。上述研究成果已经形成了从基础理论、关键技术到实验验证的完整体系。