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研究结果显示,在过去30年里,245兆赫至8800兆赫频率范围内的太阳射电流量自转速率,随频率增加而增加,从而证实了太阳日冕存在径向较差自转。此外,从日冕底层到大约1.3个太阳半径的不同高度上的日冕自转,随着太阳活动周期的推进展现出复杂的变化,但自转速率总是随着高度的增加而逐渐变慢。
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据发表在《科学》杂志上的一项最新研究,美国斯坦福大学研究人员首次发现一种非晶体材料磷化铌,在制造芯片上的超薄线路时,只有几个原子厚的磷化铌薄膜导电能力比铜更好。此外,这种薄膜可在较低温度下沉积生产,与现代计算机芯片相兼容。这种新材料在未来的纳米电子学领域极具潜力,有望带来功能更强、更节能的电子产品,帮助解决当前电子产品中的电力和能耗问题。
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